中国芯片产业迎来震撼消息：中国自主研发的EUV（极紫外）光刻机，已在华为东莞工厂紧锣密鼓地进入调试阶段！更令人振奋的是，内部消息显示，相关试产线的良品率已强势突破70%大关！
光刻机是芯片制造中最核心的设备，直接决定芯片的精密程度。它像一台超高精度的“投影仪”，把电路图案刻到硅片上。目前全球最先进的EUV光刻机（支持7nm以下工艺）被荷兰ASML垄断，而中国作为全球最大的芯片设备市场，却面临严重的“卡脖子”问题——国产化率不足5%。
中科院研发的DUV光源技术，为国产光刻机发展注入强大动力。
据多家媒体报道，ASML的CEO在接受《纽约时报》采访时表示，中国早已研发国产光刻设备，尽管与ASML仍有差距，但美国的打压反而会促使中国更加努力取得成功。与此同时，中国科学院成功研发突破性的固态DUV(深紫外)激光的消息同样令人振奋，该技术可发射193nm的相干光，与主流DUV曝光波长一致，理论上能将半导体工艺推进至3nm ，相关成果已在国际光电工程学会（SPIE）官网上公布。这一消息不仅在技术层面意义重大，更为投资市场带来了新的机遇与思考
光刻机产业链上，光学系统、光源、双工件台是国产替代的三大核心战场。
光学系统：突破“镜片”瓶颈
光刻机镜头由15-20片透镜组成，每片直径20-30厘米，需补偿纳米级光学误差。国产差距：茂莱光学已量产用于i-line光刻机（365nm波长）的镜头，但面型精度、光洁度较蔡司仍有代差。
关键企业：
茂莱光学：产品覆盖深紫外到红外全谱段，透镜技术国内领先，客户包括Camtek等国际半导体设备商。福晶科技：旗下“至期光子”专注超精密光学元件，2024年营收暴增180%，目标2025年营收1.5亿元。光源：决定工艺精度的“引擎”
光刻机波长从436nm（g-line）一路缩减至13.5nm（EUV）。EUV光源需用高能激光轰击锡液滴产生等离子体，每秒重复5万次！目前ASML的EUV光源技术全球独步。
国产突破：
哈工大：成功研制13.5nm EUV光源，打破海外封锁。波长光电：与浙大共建实验室，攻关半导体检测光学器件，加速光刻领域布局。双工件台：纳米级“搬运工”
双工件台系统承载晶圆高速移动，精度需达2nm（相当于头发丝的三万分之一）。ASML的工件台能以7倍重力加速度运动，技术难度极高。
国产进展：
华卓精科：2016年突破双工件台技术，打破ASML垄断。汇成真空：提供真空镀膜设备，用于光学镜头涂层，2024年营收5.2亿元（+35.8%）。光刻机攻坚克难正当时，产业进展有望迎来加速期，产业链核心名单
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