关于金属镓/锗的用途、行业发展情况以及相关企业

小金属还有,继续来专业知识补充。

详细梳理一下金属镓(Gallium)和金属锗(Germanium)这两种关键小金属的用途、行业发展情况以及相关企业。它们在现代高科技,尤其是半导体、光电子和新能源领域扮演着不可或缺的角色。

核心共性:

  • 战略地位突出: 均被全球主要经济体(美、欧、日、中等)列为关键矿产或战略矿产。
  • 供应集中风险: 中国在全球原生供应中占据主导地位(尤其是镓)。
  • 下游应用高端: 主要应用于半导体、通信、红外、光伏、航空航天等高科技领域。
  • 材料特性关键: 性能难以替代,技术壁垒高。
  • 价格波动较大: 受供需、政策、技术路线竞争等因素影响显著。

一、 金属镓 (Gallium, Ga)

主要用途:高度依赖化合物半导体

镓本身很少单独使用,其核心价值在于形成高性能的化合物半导体材料:

  1. 砷化镓 (GaAs) – 核心应用 (占比约65-75%)
    • 射频器件 (RF): 用于制造高性能射频功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、开关(Switches)。应用于:
      • 智能手机: 4G/5G/6G手机前端模块(FEM),尤其是高频、高功率场景。
      • 无线基础设施: 基站功率放大器。
      • 卫星通信: 星载和地面站收发器。
      • 国防电子: 雷达、电子战系统。
    • 优势: 高频性能优异、电子迁移率高、耐高温、抗辐射。在5G毫米波以上频段具有不可替代性。
    • 光电子器件: 用于制造高亮度红光、黄光LED(部分市场被InGaN替代),以及部分激光二极管(如650nm DVD激光器)。
  2. 氮化镓 (GaN) – 增长最快的新星 (占比约20-30%)
    • 射频器件 (RF): 性能超越GaAs(更高功率密度、更高效率、更高频率)。应用于:
      • 5G/6G 宏基站: 大功率PA。
      • 国防电子: 新一代雷达、电子战、反导系统。
      • 卫星通信: 高功率、高效率需求。
    • 功率电子器件 (Power): 用于制造高效功率开关器件(HEMTs)。应用于:
      • 快充电源: 手机、笔记本电脑充电器(体积小、效率高)。
      • 数据中心/服务器电源: 提升效率,降低能耗。
      • 新能源汽车: 车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、牵引逆变器(潜力巨大)。
      • 光伏逆变器: 提升转换效率。
    • 优势: 极高的禁带宽度(宽禁带半导体)、高击穿电场、高电子饱和速度、优异导热性。
  3. 磷化镓 (GaP): 主要用于制造黄光、绿光LED(大部分市场已被InGaN基蓝光LED+荧光粉方案替代)。
  4. 铜铟镓硒 (CIGS) 薄膜太阳能电池 (占比约5%): 镓是重要组分之一(替代部分铟),具有柔性、弱光性好等优势,应用于特定BIPV和便携式场景。
  5. 磁光材料 (Gd3Ga5O12 – GGG): 用于光学隔离器、磁光存储器等。
  6. 其他: 低熔点合金、高温温度计、医用同位素⁶⁸Ge/⁶⁸Ga发生器的靶材(核医学成像)。

镓行业发展情况

  1. 供应:中国绝对主导,铝业副产品
    • 中国主导原生供应 (>90%): 全球90%以上的原生镓来自中国,是氧化铝(Al2O3)生产过程中的副产品(从拜耳法母液中提取)。中国庞大的电解铝产业是基石。
    • 核心企业集中: 中国铝业、东方希望、锦江集团(杭州龙山化工)、中铝郑州研究院、中铝山西新材料等大型铝业集团是主要生产商。
    • 海外供应有限: 其他国家如德国(优美科,再生为主)、日本(住友化学、三井矿业,部分原生+再生)、俄罗斯(RUSAL)、哈萨克斯坦等有少量产能或再生能力,但规模远小于中国。
    • 再生镓重要补充: 从半导体制造废料(如GaAs/GaN晶圆切割屑、外延废片、失效器件)中回收再生镓是重要来源,占比估计在30-40%。日、美、欧企业在再生技术方面领先(如DOWA、住友化学、优美科)。
    • 政策影响巨大: 中国于2023年8月1日起对镓实施出口管制,极大冲击全球供应预期和贸易流向,推高价格,加速海外供应链重塑。
  2. 需求:5G、快充、新能源车、国防驱动
    • GaAs RF: 受益于5G持续渗透、6G演进、卫星互联网发展。增长稳健但面临GaN竞争。
    • GaN RF: 是5G宏基站、国防、卫星通信的核心增长点,技术升级驱动需求激增。
    • GaN Power: 快充普及(消费电子)、数据中心/服务器电源升级、新能源汽车电气化(OBC、DC-DC)是核心增长引擎,潜力巨大。
    • LED 和 CIGS: 市场相对成熟或份额较小,增长平缓。
    • 新兴应用: 如激光雷达(GaAs/GaN)、Micro-LED(GaN基)有长期潜力。
  3. 趋势与挑战:
    • 供应链安全成焦点: 中国出口管制迫使全球(尤其美日欧)加速布局多元化供应链:重启/扩产海外原生镓(难度大、成本高)、加大再生镓投资、研发替代材料(如硅基GaN-on-Si 降低成本依赖,但性能略逊)、建立战略储备。
    • GaN 是未来核心: GaN在射频和功率电子领域的渗透率将持续快速提升,是镓需求增长的主要驱动力。
    • 成本压力与传导: 高镓价和供应链风险促使器件厂商优化设计(减少单位用量)、提升良率、寻找替代方案(如硅基GaN)。
    • 技术路线竞争: GaN在射频领域挤压GaAs份额;在功率领域与SiC竞争(各有优势场景)。

镓相关企业

  1. 资源/冶炼/回收(原生+再生):
    • 中国: 中国铝业 (龙头)、东方希望集团、杭州龙山化工(锦江集团)、中铝郑州研究院、中铝山西新材料、珠海方源、南京中锗科技(同时有锗业务)。(受出口管制直接影响)
    • 海外:
      • 原生: RUSAL(俄罗斯), 哈萨克斯坦铝业, 德国PPM Pure Metals(计划重启)。
      • 再生/提纯: 优美科(比利时,全球领先回收商)、DOWA(日本,领先再生商)、住友化学(日本,原生+再生)、三井矿业(日本,再生)。
  2. 衬底制造(单晶生长): (技术壁垒高)
    • GaAs 衬底: Freiberger Compound Materials (德国,龙头)、Sumitomo Electric (日本)、AXT (美国,生产基地在中国)、云南锗业 (中国)。
    • GaN 衬底 (体块): Sumitomo Electric (日本,龙头)、住友化学 (日本)、三菱化学 (日本)、Sciocs (中国,中科院背景)、Qromis (美国)。(GaN-on-Si外延主流,但GaN-on-GaN衬底用于高端射频/激光器)。
  3. 外延片制造 (MOCVD – 核心环节):
    • 全球龙头: IQE (英国,全球最大)、英特磊 (IntelliEPI,台湾地区)、全新光电 (VPEC,台湾地区)、住友化学 (日本)、昭和电工 (现 Resonac Holdings,日本)。
    • 中国: 苏州纳维、东莞中镓、山东天岳、晶湛半导体 (GaN-on-Si)、英诺赛科 (GaN-on-Si)。
  4. 器件设计与制造 (IDM/Fabless+Foundry):
    • GaAs RF:
      • IDM: Skyworks (美国,龙头)、Qorvo (美国,龙头)、博通 (Broadcom,美国)、住友电工 (日本)。
      • Foundry: 稳懋 (Win Semi,台湾地区,龙头)、宏捷科 (AWSC,台湾地区)、环宇通讯 (GCS,美国)、三安集成 (中国)。
    • GaN RF:
      • IDM: Wolfspeed (Cree,美国,龙头之一)、Qorvo (美国,收购了UnitedSiC/氮化镓系统)、恩智浦 (NXP,荷兰)、英飞凌 (Infineon,德国,收购了Cree RF)、MACOM (美国)。
      • Foundry: 台积电 (TSMC,台湾地区)、稳懋 (Win Semi)、三安集成 (中国)、英诺赛科 (中国)。
    • GaN Power:
      • IDM: 英飞凌 (Infineon,龙头之一)、安森美 (Onsemi,美国,收购了GTAT)、意法半导体 (STMicro,瑞士/意大利)、德州仪器 (TI,美国)、Wolfspeed、罗姆 (ROHM,日本,收购了SiCrystal)、三安集成、英诺赛科 (中国,全球领先的GaN Power IDM)、纳微半导体 (Navitas,美国,Fabless)。
      • Foundry: X-FAB (欧洲)、世界先进 (VIS,台湾地区)、汉磊 (Episil,台湾地区)。

二、 金属锗 (Germanium, Ge)

主要用途:红外、光纤、聚合催化剂

  1. 红外光学 (占比约30-35%) – 核心军用与民用
    • 红外透镜与窗口: 锗单晶是制造中长波(8-14μm)红外热成像系统透镜、窗口、整流罩的核心材料。应用于:
      • 军用: 夜视仪、红外瞄准具、导弹导引头、侦察监视系统。
      • 民用/工业: 安防监控、消防热像仪、工业检测(电力、建筑、制造)、自动驾驶(部分激光雷达接收镜头)、医疗成像。
    • 优势: 高折射率、低色散、在中远红外波段透射性好、机械强度较好、相对易于加工。
  2. 光纤通信 (占比约20-25%) – 高速网络基石
    • 光纤预制棒芯层掺杂剂: 二氧化锗(GeO2)是制造单模光纤(SMF)和多模光纤(MMF)预制棒芯层的主要掺杂剂(提高折射率)。
    • 重要性: 几乎所有通信用石英光纤都含有锗,是支撑全球互联网、数据中心、5G/6G回传网络的关键基础材料。
  3. 聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 树脂 (占比约20-25%) – 隐形巨量应用
    • 聚合催化剂: 二氧化锗(GeO2)或乙二醇锗是生产PET树脂(用于饮料瓶、食品包装、纤维)的高效催化剂,可显著提高反应效率和产品质量(如透明度)。
    • 特点: 单耗极低(ppm级),但全球PET树脂产量极其庞大(数千万吨级),故消耗总量可观。
  4. 太阳能电池 (占比约5-10%) – 空间能源主力
    • 空间用高效多结太阳能电池: 锗晶片是制造三结(GaInP/GaAs/Ge)或四结太阳能电池的衬底(底电池)。应用于:
      • 卫星、空间站、深空探测器。
    • 优势: 晶格匹配好、效率高(>30%)、抗辐射能力强、可靠性高。
    • 地面聚光光伏 (CPV): 少量应用,但市场萎缩。
  5. 半导体器件 (占比 <5%) – 历史根基,利基存在
    • 高频器件: SiGe HBT(异质结双极晶体管)用于高速通信芯片(部分手机PA、光纤网络)。
    • 红外探测器: 锗掺杂(如HgCdTe探测器需锗衬底)或锗基探测器。
    • γ射线探测器: 高纯锗(HPGe)探测器用于核物理研究、安检、环境监测。
  6. 其他: 荧光粉、冶金添加剂、生物活性研究等。

锗行业发展情况

  1. 供应:中国主导,锌/煤副产物
    • 中国主导原生供应 (>60%): 全球大部分原生锗来自中国,主要来源:
      • 铅锌冶炼烟尘回收 (主要来源)。
      • 褐煤/锗煤燃烧灰渣提取 (中国特有,如内蒙古)。
      • 部分来自铜矿、银矿、萤石矿副产品。
    • 核心企业: 云南锗业 (龙头)、中金岭南、驰宏锌锗、南京中锗科技、内蒙古通力锗业。
    • 海外供应: 美国(Indium Corporation,再生为主)、比利时(优美科,再生为主)、俄罗斯、加拿大(Teck Resources)、芬兰(Boliden)。中国于2023年8月1日对锗实施出口管制。
    • 再生锗重要: 从红外光学器件废料、光纤预制棒制造废料、失效催化剂中回收再生锗是重要来源(占比估计30-40%),技术成熟(尤其是光纤级)。
  2. 需求:稳定增长,新兴领域有亮点
    • 红外光学: 军用需求(全球地缘紧张推动)稳定增长;民用红外(安防、工业检测、汽车辅助驾驶)渗透率提升。
    • 光纤通信: 全球数据流量爆炸式增长驱动光纤网络持续扩容(尤其5G FWA、数据中心互联),需求稳健。FTTH建设放缓影响边际减弱。
    • PET催化剂: 需求与全球饮料、包装消费量挂钩,增长稳定。
    • 空间太阳能: 卫星互联网(如Starlink, Kuiper)星座建设浪潮驱动需求显著增长,是重要增量。
    • 半导体: SiGe在特定领域保持应用,但整体占比小。
  3. 趋势与挑战:
    • 供应链安全重塑: 中国出口管制迫使海外加速多元化:加强再生利用(尤其光纤级)、寻找替代材料(光纤芯层探索替代掺杂剂如磷、氟,但性能有差异;红外材料探索硫系玻璃、ZnSe、Si基微测辐射热计,但锗在高端/军用仍主流)、重启/开发海外资源(如加拿大、俄罗斯、纳米比亚)。
    • 空间太阳能驱动明显: 低轨卫星互联网是未来5-10年锗需求最确定的强劲增长点。
    • 技术替代压力: 光纤领域存在替代掺杂剂研究;红外领域存在非制冷(微测辐射热计)对制冷型(用锗镜头)的竞争(微测占民用主流,但军用高端仍需制冷型锗镜头)。
    • 价格高位运行: 管制政策、空间需求增长、供应紧张预期支撑锗价。

锗相关企业

  1. 资源/冶炼/回收(原生+再生):
    • 中国: 云南锗业 (龙头,全产业链)、驰宏锌锗 (铅锌冶炼回收)、中金岭南 (铅锌冶炼回收)、南京中锗科技 (中锗集团旗下,技术强)、内蒙古通力锗业 (煤提锗)。(受出口管制直接影响)
    • 海外:
      • 原生/综合: Teck Resources (加拿大,铅锌矿伴生锗)、Umicore (优美科,比利时,全球领先回收商,特别是光纤级再生锗)。
      • 再生/提纯: Indium Corporation (美国,全球重要锗回收商和供应商)、5N Plus (加拿大,高纯金属及化合物)、Photonic Sense (德国,红外废料回收)。
  2. 红外光学材料与器件:
    • 锗晶体/毛坯/光学元件: Umicore (比利时,红外光学龙头)、云南锗业 (中国)、II-VI Incorporated (现 Coherent Corp, 美国)、Jenoptik (德国)、北京玻璃研究院 (中国)、湖北新华光 (中国)、福晶科技 (中国,部分)。
    • 热像仪整机: FLIR Systems (现 Teledyne FLIR, 美国,龙头)、海康威视 (中国)、大立科技 (中国)、高德红外 (中国)、睿创微纳 (中国)。
  3. 光纤预制棒制造:
    • 全球巨头: Corning (康宁,美国,龙头)、Prysmian (意大利,收购了Draka/Draka Comteq)、Sumitomo Electric (住友电工,日本)、Furukawa Electric (古河电工,日本)、亨通光电 (中国)、长飞光纤 (中国)、中天科技 (中国)。(它们是GeO2的主要用户)。
  4. PET催化剂供应商:
    • 锗化学品供应商: Umicore、Indium Corporation、云南锗业、南京中锗科技等供应GeO2或乙二醇锗给大型化工企业(如Indorama、SABIC、三菱化学、万华化学等PET生产商)。
  5. 空间太阳能电池:
    • 锗衬底供应商: AZUR SPACE Solar Power (德国,领先空间电池制造商,自用+外售)、5N Plus (加拿大,供应衬底给空间电池厂)。
    • 空间电池制造商: AZUR SPACE (德国)、Spectrolab (波音旗下,美国)、SolAero Technologies (Rocket Lab旗下,美国)、上海空间电源研究所 (中国航天科技集团八院)、天津电源研究所 (中国电子科技集团十八所)。

总结与关键点

  • 镓的核心在化合物半导体(GaAs/GaN): 驱动因素是5G/6G、快充、数据中心、新能源汽车电气化、国防。中国原生供应垄断性强,出口管制重塑全球供应链。GaN是未来最大增长点。
  • 锗的核心在红外光学和光纤通信: 军用红外、全球光纤网络建设、PET催化剂是基石。卫星互联网是强劲新引擎。中国供应主导,出口管制加剧供应担忧。空间太阳能需求增长确定。
  • 共同挑战: 高度依赖中国供应(尤其原生)、关键矿产战略导致全球供应链重塑(多元化、再生、储备)、技术替代压力长期存在(但短期难颠覆)、价格波动大。
  • 龙头企业:
    • 镓: 上游(中国铝业、优美科、DOWA);衬底(FCM、Sumitomo);外延(IQE、英特磊、全新);器件(Skyworks, Qorvo, Wolfspeed, 英飞凌, 英诺赛科)。
    • 锗: 上游(云南锗业、优美科、Teck);红外(Umicore、云南锗业、Teledyne FLIR);光纤(康宁、住友、长飞);空间太阳能(AZUR, 5N Plus)。
  • 潜力领域:
    • 镓: GaN Power在新能源汽车的爆发、Micro-LED、激光雷达。
    • 锗: 低轨卫星互联网带动的空间太阳能电池需求激增、先进红外成像技术(如更高分辨率、多光谱)。
  • 投资关注点: 供应链安全布局(海外资源、再生技术)、核心器件技术壁垒(GaN RF/Power、红外光学)、新兴应用渗透率(车用GaN、卫星用锗衬底)、政策变化(出口管制、关键矿产清单)。

这份梳理提供了镓和锗的详细图景,两者虽同属战略小金属,但应用重心和发展轨迹各有特色,共同支撑着现代信息社会与未来科技的发展。

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